篇一：磁控溅射设备说明书
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目录
绪言 ................................................................................................. 1
一、系统简介 ................................................................................ 1
1、概述 ....................................................................................... 1
2、工作原理以及技术指标 .......................................................... 2
工作原理： ........................................................................................... 2
技术指标： ........................................................................................... 2
3、系统主要组成 ........................................................................ 3
溅射真空室组件： .............................................................................. 3
上盖组件： ........................................................................................... 4
真空获得和工作气路组件： .............................................................. 5
安装机台架组件： .............................................................................. 7
4、设备安装................................................................................ 7
安装尺寸： ........................................................................................... 7
配套设施： ........................................................................................... 7
二、系统主要机械机构简介 ........................................................ 8
1、磁控溅射靶组件 ..................................................................... 8
2、单基片加热台组件 ................................................................. 9
3、基片加热公自转台组件 ........................................................ 10
4、基片挡板组件 ...................................................................... 11
三、操作规程： ...........................................................................11
磁控溅射沉积系统
1、开机前准备工作 ................................................................... 11
2、开机（大气状态下泵抽真空） .............................................. 12
启动总电源：..................................................................................... 12
大气状态下溅射室泵抽真空： ........................................................ 12
3、溅射室处于真空状态时抽真空： .......................................... 13
4、工作流程： .......................................................................... 13
? 装入样品： ................................................................................. 13
? 磁控溅射镀膜： ......................................................................... 14
5、靶材的取出和更换: .............................................................. 15
6、停机： ................................................................................. 16
四、电源及控制 .......................................................................... 16
分类： ....................................................................................... 17
供电要求： ............................................................................... 17
使用说明 ................................................................................... 18
电控单元使用说明： ................................................................. 19
五、注意事项 .............................................................................. 20
1、安全用电操作注意事项: ....................................................... 20
2、操作注意事项： ................................................................... 21
六、常见故障及排除 .................................................................. 22
七、紧急状况应对方法 .............................................................. 23
2
篇二：高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明
高真空单靶磁控溅射镀膜机
使用说明
沈阳天成真空技术有限责任公司
20011年12月
高真空单靶磁控溅射镀膜机使用说明
本磁控溅射设备是受吉林大学的委托，根据双方签署的技术合同要求而研制的。本磁控溅射设备可装卡直径70以下的样品，溅射室极限真空度优于2×10-4Pa。
下面就本磁控溅射设备的构成及其配置、操作及其注意事项说明如下：
1 设备构成及其配置
本沉积系统主要由镀膜系统、真空获得及测量系统、配气系统、加热器与温度控制系统、升降系统、水路循环系统等组成。该沉积系统结构图如下：
1.1 镀膜系统
镀膜系统由装片架、磁控靶等组成。 1.1.1装片架
装片架主要由架板、样品卡等组成。详见下图：
1.1.2 磁控靶
本沉积系统配有一套磁控靶、一套1kW的RF溅射电源和一套500W的直流溅射电源及一套100W的偏压电源。镀膜时，可根据需要分别手工连接至直流溅射电源、偏压电源及RF溅射电源。
RF溅射电源、直流溅射电源及偏压电源分别见各自的说明书。 磁控靶的安装：
① 如图：将图中箭头所指示的三个内六角螺钉松开一点，不必
卸下来。
②如图：将图中箭头所指示的屏蔽罩向上抽出。
② 如图：将图中箭头所指示的四个内六角螺钉卸下来。
③ 如图：将图中箭头所指示的压盖取出。
④ 如图：将图中箭头所指示的靶材（76-0.2-0.3×3.2）放到靶面上。然后将压盖及屏蔽罩装上，拧紧内六角螺钉,然后用万用表检测靶面与真空室腔体是否连通，不通则正常。至此靶材安装完成。
1.2 真空获得、配气及测量系统
真空获得及测量系统主要由沉积室（内壁尺寸为φ300×300）、1台PN2K—600L复合分子泵（抽速为600L/s）及1台FX16型机械泵（抽速为4L/s）、CC150闸板阀、1个隔断阀、1个电磁阀、1个CF35角阀、一个CF16角阀、前级管道、预抽管道、2个D07系列质量流量计、1个D08型流量显示仪、1个电阻规、1个电离规、ZDF-5227复合真空计组成，其极限真空度优于2×10-4Pa。 1.3 加热器与温度控制系统
加热器由石墨片、钼杆和隔热屏等组成，加热温度优于500℃，
篇三：磁控溅射操作流程及注意事项
磁控溅射操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。） 检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气
2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸试样与靶材
3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。
3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。
3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。
3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。
3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及目前所对应的靶位。
3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。
四、抽真空
4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；
4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；
4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。
4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。可以从B3－1处观察低真空度。(低真空测量下限为0.1Pa）。当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）
4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。
4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 通常每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。
五、充气
5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；
5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；
5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧
5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）阀门
5.5 将控制阀扳到“阀控“位置
5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；
5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后通过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。
六、溅射
6.1 确认溅射靶位电源已经连接。
6.2 确认定位销已经脱开。
6.3直流溅射
6.3.1 打开电源开关，调节旋钮至电压达到一定值（一般不超过0.3kv），直流可以顺利启辉，此时电流开始有数值。
6.3.2 电压与电流乘积为功率值，可继续调节旋钮到所需溅射功率，但是要小于160W。
6.3.3 直流溅射的关闭：调节旋钮至最小，关闭电源。
6.4 射频溅射
6.4.1打开Uf预热5分钟
6.4.2 面板E或F上的量程按钮设定为200/40
6.4.3 打开Ua，并通过粗调与微调Ua，接近设定工艺功率，然后通过匹配调节，即调整面板E或F上的C1和C2，得到所需溅射功率。
匹配的调整规定如下：F为设定功率（小于160W），R要小于1.5或F的8%；对于绝缘材料，在满足F功率的要求下，R要尽量小，且最大不能超过F的15%。
6.4.4 射频溅射的.关闭：粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。 注：连续溅射一小时后需暂停溅射，关闭气路，等抽真空30分钟后再重新充气溅射。
七、溅射结束
7.1 关闭气瓶阀门，旋松减压阀至压力示数为0；
7.2 将MFC阀开关置于“关闭”位，并将流量调至零，然后关闭电源开关；
7.3 关闭V6和V4阀门（若是二路进气，V5应和V6同时关闭）；
7.4 打开闸板阀，继续抽真空30分钟后关闭闸板阀；
7.5 关闭分子泵：按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。
7.6 关闭电磁阀I与机械泵I。
7.7 等30分钟后，关冷却水电源。
八、其他操作说明
8.1加负偏压
加偏压方法：打开偏压电源，调整偏压为200v即可。偏压要在开始镀膜之前施加。
8.2基板加热
8.2.1确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
8.2.2 打开加热电源I，设定加热温度，调整电流加热；
8.2.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
九、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
十、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，然后关闭各路气阀，关闭电路按钮开关。
进样室加热退火操作流程及注意事项
一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。） 检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。
二、放气
2.1 确认进样室内部温度已经冷却到室温；
2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；
2.3 进样室的放气阀是V8，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太大；
2.4 放气完毕将气阀关紧。
三、装卸样品
3.1 打开进样室门，将样品朝下，送入退火炉内，使样品托的尖端插入圆形槽内，保证样品托与退火炉平行；
3.2 关闭进样室门并锁紧旋钮。
四、抽真空
4.1 确认闸板阀G2、G4已经关闭
4.2 打开B5面板上“机械泵Ⅲ”，再打开气阀V9，开始抽低真空。
4.3 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。可以从B3－2处观察低真空度。(低真空测量下限为0.1Pa）。当真空度小于5Pa可以开始抽高真空。
4.4 关闭气阀V9，打开B4上“电磁阀Ⅲ”（确认听到响声表示电磁阀已开）；
4.5 打开B7面板的进样室分子泵电源，按下“工作”键，高速/转速指示灯亮，随后分子泵速上升并稳定到704，然后打开闸板阀G3，。
4.6 进样室的高真空度在B3-2面板显示（复合键灯亮，测量值为高真空度），不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关，通常1小时后可达到4x10-3Pa，打开后等示数稳定后再关闭（一般不超过1分钟）
五、加热退火
5.1 确认热偶回路、加热回路连接正常，完好；
5.2 打开对应加热电源，设定加热温度，调整电流加热；
5.3 结束加热：先将电流调到最小，然后关闭电源。
六、结束
6.1 关闭闸板阀；
6.2 关闭分子泵：按下“工作”键→等待分子泵速下降到0→关闭电源；
7.6 关闭电磁阀III与机械泵III；
7.7 等1小时后，关冷却水电源。
七、清理工作及离开注意事项
9.1 将所用工具放回原处，整理室内卫生；
9.2 在离开之前，应确认拉闸断电，关闭门窗。
八、紧急情况处理
突然停电后的措施：尽快关闭闸板阀，关闭电路按钮开关。
附：简单操作步骤
一、 磁控溅射
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5 准备工作： 打开冷却水箱电源 → 打开V2放气→ 关闭V2 → 打开磁控室装样品与靶材→ 关闭磁控室 抽真空：开机械泵I → 打开V1气阀 → 至低真空小于5Pa → 关闭V1气阀→ 开电磁阀I → 开分子泵 → 至转速大于H100.0 → 打开闸板阀G1 充气：打开MFC预热3分钟 → 稍关闭闸板阀G1 → 打开V4 → 打开V6（或V5）→ 将MFC打到“阀控” → 打开气瓶 → 关紧闸板阀G1 → 调节MFC 溅射：打开电源开关 → 调节功率至启辉 溅射结束： 将功率调至最小 → 关闭电源 → 关闭气瓶 → 关MFC → 关V6
（或V5）→ 关V4 → 打开闸板阀G1 → 抽真空30分钟 → 关闭闸板阀 → 关闭分子泵 → 关闭电磁阀I → 关机械泵I → 30分钟后关冷却水电源
整理工作：整理仪器和卫生 → 拉闸断电，关闭门窗 1.6
二、 进样室退火
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
准备工作： 打开冷却水箱电源 → 打开V2放气→ 关闭V2 → 打开进样室装样品→ 关闭进样室 抽真空：开机械泵III → 打开V9气阀 → 至低真空小于5Pa → 关闭V9气阀→ 开电磁阀III → 开分子泵 → 至转速稳定704 → 打开闸板阀G3 加热：打开电源 → 设定加热程序 → 调整电流开始加热 加热结束：将电流调至最小 → 关闭电源 → 关闭闸板阀 → 关闭分子泵 → 关闭电磁阀III → 关机械泵III → 1小时后关冷却水电源 整理工作：整理仪器和卫生 → 拉闸断电，关闭门窗
附：SR93温度控制器说明书 （进样室退火和磁控室基板加热）
1. 打开电源，按GRP，进入Prog（程序）设置：
Step1（升温曲线）： *按“step”调加热温度（℃），按“Ent”确认；
*，按“Ent”确认；
Step2（保温曲线）： 重复上述步骤
Step3（降温曲线）：重复上述步骤（但一般都随炉冷却，保温时间到后直接关电源即可）
2. 设定完程序，退回到初始状态，按“Run”约3秒，绿灯亮，就开始运行
3. 缓慢顺时针旋转面板功率调节旋钮，将电流调至4A，停留2分钟后，将电流调至8A（将旋钮再旋1/2圈即可），一般加热到最高温度只需8A电流。
4. 关电源时，先调节功率旋钮到底，再关闭电源。
注：为了到温时实际温度与设定温度偏差不要太大，可分两段升温，低温升温速度加快，高温升温速度降低。
篇四：溅射台说明书
超高真空磁控溅射设备
使 用 说 明 书
沈阳奇汇真空技术有限公司
一 设备简介
该设备是用于在真空状态下进行磁控溅射试验的科学仪器。设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式，电极采用陶封技术，运动采用金属焊接波纹管结构。设备整体用优质不锈钢制造，系统可靠，运动灵活，定位准确。
1 设备的主要结构及介绍
设备按外观结构可分为三部分，磁控溅射室、磁控靶、 工作台如图（一）
2.1磁控溅射室
磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。 如图（二） 。
2.1.1 加热及其水冷样品台
加热样品台安装在磁控溅射室的上方，采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成，升温与降温速度快，温度均匀性良好。可加热到600℃，长时间在500℃条件下工作，控温精度±2℃。
水冷样品台可以和加热样品台更换使用，安装在磁控溅射室上方，采用不锈钢焊接而成，冷却效果良好。（如图三）
加热样品台 （图三） 水冷样品台
2.1.2真空获得系统
由2X—4B机械泵1台，620C分子泵（中科科仪KYKY 620C）1台，上海三井的100L离子泵一台，K-100扩散泵一台，CF150超高真空闸板阀1台，CF100超高真空闸板阀1台，CF35超高真空角阀1只。通断蝶阀一只，KF40电磁真空阀3只，Ф32金属波纹管路3段，(总长6.5米)构成。详见配套部分的《插板阀说明书》《110A分子泵说明书》《2XZ-4B机械泵使用说明书》，《三井离子泵使用说明书》
2.1.3真空获得系统
真空测量系统由测量规管和超高真空真空计组成。该机配有KF电阻规、超高真空金属电离规。详见《正华真空计说明书》。
2.2 磁控靶
3寸磁控溅射靶，靶体采用无氧铜加工而成，无磁力干扰，磁场部分模拟，提高靶材利用率，内置水冷结构，保证靶材使用寿命，水冷结构特殊设计，抗污染能力强（建议还是要使用纯净水，水中的杂质太多，大大的缩短靶水道清洗的周期。），靶上方固定混气环，可充如掺杂气体。
2.3 工作台
工作台整体由方管焊接打磨而成，四周安装可拆卸门板，底部安装有脚轮与地角，可方便移动。
二 主要技术参数
1 极限真空度：单开分子泵系统时，8.5x10-6Pa
开离子泵系统时，8.5x10-7Pa
扩散泵系统，8x10-4 Pa
2．真空抽速： 从大气达到7x10-4 Pa，<40分钟。
3. 可制备最大为φ100mm的薄膜样品
4. 加热与水冷样品台升降距离为30mm。
三 设备的安装
安装步骤如下：
１ 打开包装后将主机和机械泵平稳移动到安装位置，移动过程中严禁搬扶样品架顶部及阀柄、管路等部位，整机严禁磕碰、撞击。 ２ 设备与其它设备或墙壁的距离不得小于０.６米。
３ 安装位置确定后将主机下的支撑脚旋紧，使活动轮稍离地面。旋紧力要均匀。使用水平仪,调整工作台的水平度。
4 安装各部件。
5 连接水源，接好各部件的冷却水路。
6 电控、电源的连接见电器说明书。
5 设备操作流程
5.1准备工作
1 检查冷却水路,确保水路密封,启动水箱。观察冷却水循环情况，是否有漏水之处，及时解决。
2 检查真空室的手动放气阀是否关闭，如未关闭请先关闭。
3 检查插板阀柄运动是否有阻碍物，确保无阻碍物的情况下方能操作。
4 将总电源面板上的总开关扳上。观察面板上电源相序指示灯。如
篇五：磁控溅射仪使用说明(1)
磁控溅射仪使用说明
一、 放入样品
1、 在仪器关闭前提下，缓慢开启V5对进样室进行放气至听不到V5进气声音；
2、 打开进样室观察窗口，将样品放在样品托上后，将样品托放入进样室内样品架上；
3、 关闭观察窗口，旋紧螺母；
4、 关闭V5。
二、 开机
1、溅射室暴露大气后开机法：
1) 开循环水电源、阀门；
2) 开总控电源，确认电源指示灯正常；
3) 打开G2，开主溅射室机械泵R1，缓慢打开旁抽阀V4；
4) 当低真空计示数都<30Pa时，关闭V4、G2；
5) 开机械泵R2，电磁阀DF；
6) 启动分子泵（进样室－工作，溅射室－启动）；
7) 打开闸板阀G1、G3。
2、溅射室未暴露大气开机法：
1） 开循环水电源、阀门；
2）开总控电源，确认电源指示灯正常；
3）开主溅射室机械泵R1，缓慢打开旁抽阀V4；
4）当低真空计进样室示数<30Pa时，关闭V4；
5）开机械泵R2，电磁阀DF；
6）启动分子泵（进样室－工作，溅射室－启动）；
7）打开闸板阀G1、G3。
三、 关机
1） 关闭两个高真空计（溅射室－按“电源”键，进样室按“复合”键）；
2） 关闭两个闸板阀G1、G3；
3） 给分子泵降速（进样室分子泵－按“工作”键，溅射室分子泵－按“停止”键）
4） 进样室分子泵频率降至50Hz后关闭机械泵R2；溅射室分子泵频率降至50Hz时依次关闭电磁阀DF、机械泵；
5） 分子泵频率降至0Hz后，关闭其电源；
6） 关闭总电源、冷却水电源、阀门。
四、 溅射实验
1、 溅射实验
1） 确认高真空计关闭；
2） 从真空室到气瓶方向开阀（不包括气瓶阀门）；
3） 打开气瓶高压阀，调节低压阀至低压表示数为1-2个大气压；
4） 把流量计打到阀控档，调节进气旋钮进行流量调节；
5） 通过调节闸板阀G1控制起辉压强（3-5Pa）；
6） 用直流电源起辉直接调功率；溅射电源必须预热3-5分钟；
7） 调节相应功率计的C1和C2使入射功率最高，反射功率最低。
2、 试验结束
1） 把功率调到0点；
2） 把闸板阀打开；
3） 关闭气瓶高压阀；
4） 把流量计打倒清洗档至高、低压表示数都为0时，关闭低压阀；
5） 从气瓶到溅射室顺序关气。
五、 反溅实验
1、 反溅实验
1） 确认高真空计关闭（进样室必须用低真空计）；
2） 从真空到气瓶方向顺序开气；
3） 流量计打到阀控，设定好流量；
4） 预热射频电源；
5） 通过调节前置闸板阀调气压至5－10Pa；
6） 反溅档打开，调节射频电源功率；
7） 调节相应功率计的C1和C2使入射功率最高，反射功率最低。
2、 反溅实验
1） 把功率调到0点；
2） 把闸板阀打开；
3） 关闭气瓶高压阀；
4） 把流量计打倒清洗档至高、低压表示数都为0时，关闭低压阀；
5）从气瓶到溅射室顺序关气。
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设备转让合同05-14
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